利用NiFeCr种子层提高AMR薄膜信噪比研究

来源期刊：功能材料2013年第13期

论文作者：李建伟 赵崇军 滕蛟 于广华

文章页码：1852 - 1855

关键词：低频噪声;NiFeCr;种子层;退火;信噪比;

摘    要：NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比。制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降。电镜分析表明NiFeCr种子层与NiFe层形成良好的晶格匹配关系,可以基本实现NiFe完全外延式的生长。