碳纳米管场发射阴极阵列制备研究与进展
来源期刊：材料导报2007年第12期
论文作者：耿晓菊 杨云青 饶早英 王蜀霞 胡慧君 牛君杰
关键词：碳纳米管阵列; 场致发射; 制备;
摘 要：碳纳米管具有良好的电子发射特性,成为理想的场致发射阴极材料,碳纳米管阵列制备研究是碳纳米管平板显示应用的前提.介绍了碳纳米管阴极阵列制备技术如丝网印制法、CVD原位生长法、光刻法和自组织法等研究与进展,并从薄膜残留去除、CNTs膜微结构改变及sp3缺陷增加等方面概述了目前CNTs场发射性能优化的进展,指出了目前存在的问题并作了简单分析.
耿晓菊1，杨云青1，饶早英1，王蜀霞1，胡慧君1，牛君杰1
(1.重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044)
摘要:碳纳米管具有良好的电子发射特性,成为理想的场致发射阴极材料,碳纳米管阵列制备研究是碳纳米管平板显示应用的前提.介绍了碳纳米管阴极阵列制备技术如丝网印制法、CVD原位生长法、光刻法和自组织法等研究与进展,并从薄膜残留去除、CNTs膜微结构改变及sp3缺陷增加等方面概述了目前CNTs场发射性能优化的进展,指出了目前存在的问题并作了简单分析.
关键词:碳纳米管阵列; 场致发射; 制备;
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