放电等离子体烧结Cu(In0.7Ga0.3)Se2四元合金靶材的结构和导电性
来源期刊：稀有金属材料与工程2017年第1期
论文作者：谭志龙 冯海权 张俊敏 王传军 闻明 管伟明 郭俊梅 李晨辉
文章页码：237 - 241
关键词：Cu(In0.7Ga0.3)Se2;放电等离子体烧结(SPS);致密度;电阻率;
摘 要：选用650℃下真空合成的Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相合金粉末,通过放电等离子体烧结（SPS）法制备了CIGS合金靶材。研究了烧结温度、保温时间以及烧结压强等工艺参数对CIGS四元合金靶材的结构与性能的影响。研究表明,烧结温度为500℃以上时,靶材为单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相。随着烧结温度的升高,靶材的晶粒尺寸增大,致密度和电阻率基本呈线性升高;随着保温时间的延长,靶材晶粒尺寸增大,致密度和电阻率也随之升高;随着烧结压强的提高,靶材的致密度增加,而电阻率随之降低。综上所述,烧结温度为600℃,压强为30 MPa,保温时间为5 min的工艺条件下,制备靶材的电阻率为50Ω·cm,致密度为98%。
谭志龙1，冯海权2，张俊敏1，王传军1，闻明1，管伟明1，郭俊梅1，李晨辉2
1. 昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室2. 华中科技大学
摘 要：选用650℃下真空合成的Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相合金粉末,通过放电等离子体烧结（SPS）法制备了CIGS合金靶材。研究了烧结温度、保温时间以及烧结压强等工艺参数对CIGS四元合金靶材的结构与性能的影响。研究表明,烧结温度为500℃以上时,靶材为单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相。随着烧结温度的升高,靶材的晶粒尺寸增大,致密度和电阻率基本呈线性升高;随着保温时间的延长,靶材晶粒尺寸增大,致密度和电阻率也随之升高;随着烧结压强的提高,靶材的致密度增加,而电阻率随之降低。综上所述,烧结温度为600℃,压强为30 MPa,保温时间为5 min的工艺条件下,制备靶材的电阻率为50Ω·cm,致密度为98%。
关键词：Cu(In0.7Ga0.3)Se2;放电等离子体烧结(SPS);致密度;电阻率;
