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MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究

来源期刊：材料导报2011年第8期

论文作者：倪烨戴强张怀武钟智勇于奇

文章页码：5 - 7

关键词：湿法刻蚀;MEMS;深槽刻蚀;掩膜;

摘要：针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺。对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了最佳刻蚀条件。应用该技术成功地刻蚀出深度高达330μm的深槽,为MEMS元器件的加工提供了一种参考方法。

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倪烨，戴强，张怀武，钟智勇，于奇

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

关键词：湿法刻蚀;MEMS;深槽刻蚀;掩膜;