低电阻率SiC纤维先驱体聚碳硅烷的制备与表征
来源期刊：宇航材料工艺2003年第2期
论文作者：宋永才 王娟
关键词：SiC纤维; 聚碳硅烷; 聚氯乙烯; 低电阻率;
摘 要：由聚二甲基硅烷(PDMS)与3%～7%(质量分数)聚氯乙烯(PVC)共热解反应生成的聚碳硅烷(PC-P),是制备力学性能优良的低电阻率SiC纤维的先驱体.研究了PC-P先驱体的合成条件,利用GPC、IR、XPS、元素分析等手段对PC-P的组成与结构进行了分析.结果表明,PC-P先驱体的最佳合成条件为450℃保温6 h～8 h,熔点为180℃～230℃,数均分子量为1 350～1 800,分子量分散系数为2.0左右;PC-P含有Si、C、H、O元素,其C含量高于由PDMS制备的先驱体PCS,而Si含量低于PCS;结构与PCS相似,但Si-H键含量低于PCS中Si-H键含量.
宋永才1，王娟1
(1.国防科学技术大学航天与材料工程学院,长沙,410073)
摘要:由聚二甲基硅烷(PDMS)与3%～7%(质量分数)聚氯乙烯(PVC)共热解反应生成的聚碳硅烷(PC-P),是制备力学性能优良的低电阻率SiC纤维的先驱体.研究了PC-P先驱体的合成条件,利用GPC、IR、XPS、元素分析等手段对PC-P的组成与结构进行了分析.结果表明,PC-P先驱体的最佳合成条件为450℃保温6 h～8 h,熔点为180℃～230℃,数均分子量为1 350～1 800,分子量分散系数为2.0左右;PC-P含有Si、C、H、O元素,其C含量高于由PDMS制备的先驱体PCS,而Si含量低于PCS;结构与PCS相似,但Si-H键含量低于PCS中Si-H键含量.
关键词:SiC纤维; 聚碳硅烷; 聚氯乙烯; 低电阻率;
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