石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响

吴渊文¹，张燕辉¹，陈志蓥¹，王彬²，于广辉¹

1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室2. 大连理工大学物理与光电工程学院

摘 要：采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。

关键词：石墨烯;单晶;化学气相沉积;拉曼;电学性质;