磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展
来源期刊:材料导报2013年第13期
论文作者:张发云 罗玉峰 李云明 王发辉 胡云 彭华厦
文章页码:15 - 19
关键词:多晶硅;磁场;杂质;分凝行为;数值模拟;
摘 要:论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景。
张发云1,2,罗玉峰1,2,李云明1,2,王发辉1,2,胡云1,2,彭华厦2
1. 新余学院新能源科学与工程学院2. 新余学院江西省高等学校硅材料重点实验室
摘 要:论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景。
关键词:多晶硅;磁场;杂质;分凝行为;数值模拟;