SnO2(110)表面电子结构的第一性原理
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第1期
论文作者：金仁成 翁雪军 张五金 王立鼎
关键词：SnO2; 密度泛函理论; 电子结构; 能隙;
摘 要：应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1×1)和(2×1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响.研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键.
金仁成1，翁雪军2，张五金2，王立鼎1
(1.大连理工大学微系统研究中心,大连,116024;
2.大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连,116024)
摘要:应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1×1)和(2×1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响.研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键.
关键词:SnO2; 密度泛函理论; 电子结构; 能隙;
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