光固化EA体系中Eu(TTA)(AA)2Phen配合物的原位法合成及荧光性能
来源期刊：高分子材料科学与工程2004年第3期
论文作者：王正祥 陈洪 向红 舒万艮
关键词：Eu(TTA)(AA)2Phen配合物; 双酚A环氧丙烯酸酯树脂; 原位合成; 荧光性能;
摘 要：利用"原位法"合成技术,在EA(双酚A环氧丙烯酸酯树脂)中,合成了稀土荧光配合物Eu(TTA)(AA)2Phen(TTA:噻吩甲酰基三氟丙酮;AA:丙烯酸;Phen:邻菲咯啉),利用红外光谱、紫外-可见光谱和荧光光谱对体系进行了表征.红外光谱的研究表明,配合物在EA体系中的特征吸收峰被基质树脂所掩盖,主要表现为基质树脂的特征吸收;紫外-可见光谱的研究表明,该体系在350 nm附近出现配体TTA的强特征吸收,在低于300 nm时,吸收峰被基质树脂掩盖;荧光光谱的研究表明,配合物在EA体系中能发出强的铕离子的特征荧光,并且低于铕质量分数为0.4%的范围内,荧光强度与稀土离子含量接近线性关系.
王正祥1，陈洪1，向红1，舒万艮2
(1.株洲工学院,湖南,株洲,412008;
2.中南大学化学化工学院,湖南,长沙,410083)
摘要:利用"原位法"合成技术,在EA(双酚A环氧丙烯酸酯树脂)中,合成了稀土荧光配合物Eu(TTA)(AA)2Phen(TTA:噻吩甲酰基三氟丙酮;AA:丙烯酸;Phen:邻菲咯啉),利用红外光谱、紫外-可见光谱和荧光光谱对体系进行了表征.红外光谱的研究表明,配合物在EA体系中的特征吸收峰被基质树脂所掩盖,主要表现为基质树脂的特征吸收;紫外-可见光谱的研究表明,该体系在350 nm附近出现配体TTA的强特征吸收,在低于300 nm时,吸收峰被基质树脂掩盖;荧光光谱的研究表明,配合物在EA体系中能发出强的铕离子的特征荧光,并且低于铕质量分数为0.4%的范围内,荧光强度与稀土离子含量接近线性关系.
关键词:Eu(TTA)(AA)2Phen配合物; 双酚A环氧丙烯酸酯树脂; 原位合成; 荧光性能;
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