近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真
来源期刊：材料导报2019年第20期
论文作者：陈豪 肖清泉 谢泉 王坤 史娇娜
文章页码：3358 - 3362
关键词：Mg2Si/Si异质结;光谱响应;暗电流密度;界面态密度;
摘 要：本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数（包括光谱响应、暗电流等）进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0. 6～1. 5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1. 11μm时,响应度最高达到0. 742 A·W-1,1. 31μm处响应度为0. 53 A·W-1。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10-6A·cm-2。Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×1011cm-2。
陈豪，肖清泉，谢泉，王坤，史娇娜
贵州大学大数据与信息工程学院
摘 要：本工作设计了近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的器件结构,并采用Silvaco-TCAD对器件主要性能参数（包括光谱响应、暗电流等）进行模拟仿真,优化了器件的结构参数和工艺参数。仿真结果表明:所设计的pin型光电二极管在波长为0. 6～1. 5μm时比pn型光电二极管具有更高的响应度,峰值波长为1. 11μm时,响应度最高达到0. 742 A·W-1,1. 31μm处响应度为0. 53 A·W-1。pin型光电二极管的暗电流密度较pn型光电二极管略大,约为1×10-6A·cm-2。Mg2Si/Si异质结中间界面态密度也不宜超过1×1011cm-2。
关键词：Mg2Si/Si异质结;光谱响应;暗电流密度;界面态密度;
