氮化钼膜电极制备工艺及其电化学行为的研究
来源期刊：无机材料学报2001年第5期
论文作者：朱云贵 何建波 王华林 鲁道荣 李学良
关键词：氮化钼膜电极; 浸渍-煅烧法; 电容; 循环伏安法;
摘 要：研究了氮化钼膜电极的浸渍-煅烧法制备工艺条件及其电化学行为.试验结果表明,浸渍-煅烧法制备高活性氮化钼膜电极适宜的浸渍干燥温度为513～473K,煅烧升温速率为1K.min-1,煅烧温度为990K,煅烧时间为2h,冷却方式为在氨气保护下随炉降温;浸渍-煅烧法制备的氮化钼电极成膜均匀,与基体附着性强;在-0.22～0.36V(vs SCE)电位范围内,循环伏安图基本上呈现矩形,当扫描速度s≤100mV.s-1时,电流密度与电势扫描速度成正比,电极电容特征显著,动力学可逆性好,稳定性与重现性好.
朱云贵1，何建波1，王华林1，鲁道荣1，李学良1
(1.合肥工业大学化工学院)
摘要:研究了氮化钼膜电极的浸渍-煅烧法制备工艺条件及其电化学行为.试验结果表明,浸渍-煅烧法制备高活性氮化钼膜电极适宜的浸渍干燥温度为513～473K,煅烧升温速率为1K.min-1,煅烧温度为990K,煅烧时间为2h,冷却方式为在氨气保护下随炉降温;浸渍-煅烧法制备的氮化钼电极成膜均匀,与基体附着性强;在-0.22～0.36V(vs SCE)电位范围内,循环伏安图基本上呈现矩形,当扫描速度s≤100mV.s-1时,电流密度与电势扫描速度成正比,电极电容特征显著,动力学可逆性好,稳定性与重现性好.
关键词:氮化钼膜电极; 浸渍-煅烧法; 电容; 循环伏安法;
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