9,9′-联蒽/SiO2表面及界面的AFM和XPS的研究
来源期刊：功能材料2011年第9期
论文作者：李建丰 宋青 牛振川 刘林东 张福甲
文章页码：1660 - 1662
关键词：9,9′-联蒽;AFM;XPS;
摘 要：在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄膜中的氧,主要来自表面吸附的氧气和水分子的扩散以及湿氧氧化时残留在氧化层中水分子和氧分子的扩散。所以对OFET而言,采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适。
李建丰1，宋青1，牛振川1，刘林东1，张福甲2
1. 兰州交通大学数理与软件工程学院2. 兰州大学物理与科学技术学院
摘 要：在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄膜中的氧,主要来自表面吸附的氧气和水分子的扩散以及湿氧氧化时残留在氧化层中水分子和氧分子的扩散。所以对OFET而言,采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适。
关键词：9,9′-联蒽;AFM;XPS;
