金刚石表面沟槽的横向拼接生长研究

胡付生^1,2，杨明阳^1,3，袁其龙¹，林正得^1,3，江南^1,3

1. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所海洋材料及相关技术重点实验室浙江省海洋材料与防护技术重点实验室3. 中国科学院大学材料科学与光电工程中心

摘 要：本文以高温高压(HPHT)合成的金刚石为籽晶,通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)外延生长金刚石方法,研究了金刚石表面沟槽的横向拼接生长。研究结果表明,金刚石表面沟槽可以通过金刚石横向生长方式实现外延拼接,使沟槽填满达到平整;外延生长金刚石膜上的拼接缝痕迹与沟槽宽度呈现正相关关系,与沟槽深度关联较小。这种金刚石上沟槽的横向拼接生长方式对英寸级单晶金刚石的合成具有重要意义,同时还可用于金刚石的埋层式电极的生长。

关键词：金刚石;MPCVD;沟槽;横向拼接生长;拼接缝;