Cu0.4In（0.4）Zn1.2S2纳米线的催化生长
来源期刊：材料科学与工程学报2014年第5期
论文作者：熊志勇 胡建力 李振松 邹超
文章页码：682 - 1385
关键词：纳米线;催化;Cu0.4In0.4Zn1.2S2;硫化亚铜;
摘 要：采用液相法制备了Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。对纳米线生长过程的分析表明,纳米线生长遵循溶液-固态-固相机理。前驱体首先受热分解形成Cu1.75S纳米晶,利用其结构中存在的Cu+空位溶解In3+和Zn2+,达到饱和后析出晶体形成Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）分析表明,纳米线呈曲折Z形,长度为5μm,具有纤锌矿结构。
熊志勇，胡建力，李振松，邹超
温州大学化学与材料工程学院
摘 要：采用液相法制备了Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。对纳米线生长过程的分析表明,纳米线生长遵循溶液-固态-固相机理。前驱体首先受热分解形成Cu1.75S纳米晶,利用其结构中存在的Cu+空位溶解In3+和Zn2+,达到饱和后析出晶体形成Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）分析表明,纳米线呈曲折Z形,长度为5μm,具有纤锌矿结构。
关键词：纳米线;催化;Cu0.4In0.4Zn1.2S2;硫化亚铜;
