In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合
来源期刊：材料导报2014年第2期
论文作者：周远明 舒承志 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉
文章页码：160 - 164
关键词：自旋电子学;自旋场效应晶体管;量子阱;Rashba自旋-轨道耦合;
摘 要：利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管（SpinFET）的理想材料。
周远明，舒承志，梅菲，刘凌云，徐进霞，王远，张冉
湖北工业大学电气与电子工程学院
摘 要：利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管（SpinFET）的理想材料。
关键词：自旋电子学;自旋场效应晶体管;量子阱;Rashba自旋-轨道耦合;
