电子束熔炼冶金级硅中杂质钙的蒸发行为
来源期刊：功能材料2010年第S1期
论文作者：彭旭 董伟 谭毅 姜大川 王强 李国斌
文章页码：117 - 120
关键词：冶金级硅;电子束熔炼;钙;蒸发行为;
摘 要：通过双枪电子束熔炼炉熔炼冶金级硅,主要研究了在一定熔炼功率不同熔炼时间下,杂质Ca含量的变化及其蒸发行为,讨论了杂质Ca含量与Si剩余率的关系。实验结果表明,熔炼初期杂质Ca含量显著降低,随着熔炼时间的延长,下降趋势逐渐减缓。在硅熔体表面2133K温度下,杂质Ca的自由蒸发反应遵循一级反应速率方程。杂质Ca的总传质系数为2.64×10-5m/s,并且杂质Ca从熔体内部迁移到硅熔体/气相界面层是其蒸发过程的速率控制步骤。
彭旭1,2，董伟1,2，谭毅1,2，姜大川1,2，王强1,2，李国斌1
1. 辽宁省太阳能光伏系统重点实验室2. 大连理工大学材料科学与工程学院
摘 要：通过双枪电子束熔炼炉熔炼冶金级硅,主要研究了在一定熔炼功率不同熔炼时间下,杂质Ca含量的变化及其蒸发行为,讨论了杂质Ca含量与Si剩余率的关系。实验结果表明,熔炼初期杂质Ca含量显著降低,随着熔炼时间的延长,下降趋势逐渐减缓。在硅熔体表面2133K温度下,杂质Ca的自由蒸发反应遵循一级反应速率方程。杂质Ca的总传质系数为2.64×10-5m/s,并且杂质Ca从熔体内部迁移到硅熔体/气相界面层是其蒸发过程的速率控制步骤。
关键词：冶金级硅;电子束熔炼;钙;蒸发行为;
