应变GaN/AlxGa1-xN量子阱中电子的跃迁能量
来源期刊：功能材料2011年第S2期
论文作者：郭海峰 哈斯花 朱俊
文章页码：241 - 244
关键词：定态薛定谔方程;量子阱;内建电场;Al组分;阱宽;跃迁;
摘 要：考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。
郭海峰1，哈斯花1，朱俊2
1. 内蒙古工业大学理学院物理系2. 内蒙古大学物理电子科学与技术学院
摘 要：考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。
关键词：定态薛定谔方程;量子阱;内建电场;Al组分;阱宽;跃迁;
