表面覆铪改善碳纳米管膜发射性能
来源期刊：功能材料2006年第4期
论文作者：于伟东 冯涛 王永进 王曦 张继华 杨传仁
关键词：碳纳米管; 场发射; 碳化铪; 薄膜;
摘 要：研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响.研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性.我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功.
于伟东1，冯涛1，王永进1，王曦1，张继华2，杨传仁2
(1.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)
摘要:研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响.研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性.我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功.
关键词:碳纳米管; 场发射; 碳化铪; 薄膜;
【全文内容正在添加中】
有色金属在线官网 | 会议 | 在线投稿 | 购买纸书 | 科技图书馆
中南大学出版社 技术支持 版权声明 电话：0731-88830515 88830516 传真：0731-88710482 Email:administrator@cnnmol.com
互联网出版许可证：（署）网出证（京）字第342号 京ICP备17050991号-6 京公网安备11010802042557号
