微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长
来源期刊：无机材料学报2007年第5期
论文作者：林枞 孙丹峰 徐政 彭虎
关键词：微波烧结; 氧化锌压敏电阻; 致密化; 晶粒生长动力学;
摘 要：研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～1200 ℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kJ/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi2O3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
林枞1，孙丹峰2，徐政1，彭虎3
(1.同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092;
2.苏州中普电子有限公司,苏州,215011;
3.长沙隆泰微波热工有限公司,湖南,410013)
摘要:研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～1200 ℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kJ/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi2O3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
关键词:微波烧结; 氧化锌压敏电阻; 致密化; 晶粒生长动力学;
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