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SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征

来源期刊:材料导报2008年第1期

论文作者:马跃良 徐瑞松 苗莉

关键词:SnO2:F导电薄膜; 喷雾热分解法; 性能;

摘    要:采用喷雾热分解(Spray pyrolysis)方法,以NH4F、SnCl2·2H2O为原料,对反应液配方进行了优化,在普通玻璃衬底上制备出了光电性能优良的掺F二氧化锡透明导电薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV/VIS)对薄膜的结构、形貌、光学、电学特征进行了表征和分析.结果表明:在衬底温度为500℃, NH4F/SnCl2·2H2O的质量百分比为20%,喷涂时间为15s时掺F二氧化锡薄膜的方块电阻最低达到6.2Ω/□,可见光透射率为86.95%,且薄膜晶粒均匀,表面形貌平整致密.

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SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征

马跃良1,徐瑞松1,苗莉1

(1.中国科学院广州地球化学研究所,广州,510640;
2.边缘海地质与矿产资源重点实验室,广州,510640;
3.中国科学院研究生院,北京,100039)

摘要:采用喷雾热分解(Spray pyrolysis)方法,以NH4F、SnCl2·2H2O为原料,对反应液配方进行了优化,在普通玻璃衬底上制备出了光电性能优良的掺F二氧化锡透明导电薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV/VIS)对薄膜的结构、形貌、光学、电学特征进行了表征和分析.结果表明:在衬底温度为500℃, NH4F/SnCl2·2H2O的质量百分比为20%,喷涂时间为15s时掺F二氧化锡薄膜的方块电阻最低达到6.2Ω/□,可见光透射率为86.95%,且薄膜晶粒均匀,表面形貌平整致密.

关键词:SnO2:F导电薄膜; 喷雾热分解法; 性能;

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