应变GaN量子点中激子态的研究
来源期刊：功能材料2006年第1期
论文作者：戴宪起 史俊杰 黄凤珍
关键词：GaN量子点; 激子结合能; 自发极化和压电极化; GaN quantum dots; exciton binding energy; piezoelectricity and spontaneous polarization;
摘 要：利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系.结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质.理论计算的光跃迁能和实验结果一致.
戴宪起1，史俊杰2，黄凤珍1
(1.河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;
2.北京大学,物理系,北京,100871)
摘要:利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系.结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点的有效带隙减小,电子、空穴产生明显分离,从而影响量子点的光学性质.理论计算的光跃迁能和实验结果一致.
关键词:GaN量子点; 激子结合能; 自发极化和压电极化; GaN quantum dots; exciton binding energy; piezoelectricity and spontaneous polarization;
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