量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性
来源期刊：功能材料2000年第1期
论文作者：申德振 羊亿 杨宝均 张吉英 范希武
关键词：量子点; 量子阱; 隧道效应;
摘 要：运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱(QDQW)结构,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用,并归因于隧道效应(Tunneling Effect)的存在.
申德振1，羊亿1，杨宝均1，张吉英1，范希武1
(1.中国科学院长春物理所激发态物理开放实验室,吉林长春,130021)
摘要:运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱(QDQW)结构,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用,并归因于隧道效应(Tunneling Effect)的存在.
关键词:量子点; 量子阱; 隧道效应;
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