分子束外延PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究
来源期刊：无机材料学报2008年第3期
论文作者：斯剑霄 陆叶青 吴惠桢 戴宁 方维政 夏明龙 徐天宁 王擎雷
关键词：异质外延; 表面微结构; 位错运动;
摘 要：采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
斯剑霄1，陆叶青1，吴惠桢1，戴宁2，方维政2，夏明龙1，徐天宁1，王擎雷1
(1.浙江大学,物理系,杭州,310027;
2.中国科学院,上海技术物理研究所,上海,200083)
摘要:采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:异质外延; 表面微结构; 位错运动;
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