以正硅酸乙酯为原料包覆二氧化钛的工艺及机理研究
来源期刊:钢铁钒钛2016年第3期
论文作者:李旺 刘勇 鲁厚芳
文章页码:41 - 47
关键词:二氧化钛;包膜;正硅酸乙酯;致密二氧化硅;高耐候性;
摘 要:使用正硅酸乙酯(TEOS)作为硅源,采用溶胶-凝胶法在钛白粉表面包覆致密Si O2膜层,对包膜过程的主要影响因素进行研究。用Si O2沉积量和酸溶率综合评价包覆效果,确定了最佳包覆条件。使用胺类分散剂,采用并流加料方式,打浆浓度为200 g/L,温度为60℃,催化剂氨水添加量为4%,水醇比为1∶6.9时,达到最佳包覆效果。对比研究发现TEOS比硅酸钠包膜产物显示出更低的酸溶率和光催化活性,表明TEOS包覆的Si O2膜层具有更高的致密度,包膜产物耐候性更高。红外光谱和扫描电镜表征确定了Si O2膜层以化学键合的方式包覆于Ti O2表面。使用电导率测定方法分析了包膜过程的机理。
李旺1,2,刘勇2,鲁厚芳1
1. 四川大学化学工程学院2. 攀钢集团研究院有限公司钒钛资源综合利用国家重点实验室
摘 要:使用正硅酸乙酯(TEOS)作为硅源,采用溶胶-凝胶法在钛白粉表面包覆致密Si O2膜层,对包膜过程的主要影响因素进行研究。用Si O2沉积量和酸溶率综合评价包覆效果,确定了最佳包覆条件。使用胺类分散剂,采用并流加料方式,打浆浓度为200 g/L,温度为60℃,催化剂氨水添加量为4%,水醇比为1∶6.9时,达到最佳包覆效果。对比研究发现TEOS比硅酸钠包膜产物显示出更低的酸溶率和光催化活性,表明TEOS包覆的Si O2膜层具有更高的致密度,包膜产物耐候性更高。红外光谱和扫描电镜表征确定了Si O2膜层以化学键合的方式包覆于Ti O2表面。使用电导率测定方法分析了包膜过程的机理。
关键词:二氧化钛;包膜;正硅酸乙酯;致密二氧化硅;高耐候性;