高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
来源期刊：功能材料2008年第8期
论文作者：韩平 谢自力 施毅 张荣 李弋 修向前 顾书林 郑有炓 刘斌 江若琏
关键词：InGaN/GaN; 多量子阱; In组分; X射线衍射;
摘 要：应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构.测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态.由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比.最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm.
韩平1，谢自力1，施毅1，张荣1，李弋1，修向前1，顾书林1，郑有炓1，刘斌1，江若琏1
(1.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093)
摘要:应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构.测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态.由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比.最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm.
关键词:InGaN/GaN; 多量子阱; In组分; X射线衍射;
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