Ni/Au、Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性
来源期刊：功能材料与器件学报2010年第1期
论文作者：刘键 白云 刘新宇 朱杰 麻芃
关键词：p-AlGaN; 高Al组分; 欧姆接触; p-AIGaN; high Al contents; ohmic contacts;
摘 要：在AlGaN pin型日盲紫外探测器结构中的p-AIGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600-850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质.实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能.为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化.实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析.
刘键1，白云1，刘新宇1，朱杰1，麻芃1
(1.中国科学院微电子研究所,北京,100029)
摘要:在AlGaN pin型日盲紫外探测器结构中的p-AIGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600-850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质.实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能.为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化.实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析.
关键词:p-AlGaN; 高Al组分; 欧姆接触; p-AIGaN; high Al contents; ohmic contacts;
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