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退火处理对SnO2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响

来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第11期

论文作者：计峰余旭浒马瑾马洪磊王玉恒

关键词：射频磁控溅射法; SnO2:Sb薄膜; 光致发光;

摘要：用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110).室温下光致发光测量首次观测到392 nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.

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计峰¹，余旭浒¹，马瑾¹，马洪磊¹，王玉恒¹

(1.山东大学,光电材料与器件研究所,山东,济南,250100)

摘要:用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110).室温下光致发光测量首次观测到392 nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.

关键词:射频磁控溅射法; SnO2:Sb薄膜; 光致发光;

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