Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第2期
论文作者：崔平 蒋俊 许高杰 王琴 李勇 段雷 李亚丽 李志祥
关键词：压敏陶瓷; SnO2; 非线性; 肖特基势垒;
摘 要：研究了TiO2掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响.利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜对相组成和微结构的分析表明:TiO2的添加没有新的相生成.随着TiO2含量的增加,密度与晶粒尺寸均明显减小,压敏电压(EB)以及非线性系数(α)随TiO2掺杂量的增加而增加.当掺杂浓度为3%,烧结温度为1250℃时样品具有最高的压敏电压(EB=1169 V/mm)和非线性系数(α=56).
崔平1，蒋俊1，许高杰1，王琴2，李勇1，段雷1，李亚丽1，李志祥1
(1.中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江,宁波,315040;
2.中国科学院固体物理研究所,材料物理重点实验室,安徽,合肥,230031)
摘要:研究了TiO2掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响.利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜对相组成和微结构的分析表明:TiO2的添加没有新的相生成.随着TiO2含量的增加,密度与晶粒尺寸均明显减小,压敏电压(EB)以及非线性系数(α)随TiO2掺杂量的增加而增加.当掺杂浓度为3%,烧结温度为1250℃时样品具有最高的压敏电压(EB=1169 V/mm)和非线性系数(α=56).
关键词:压敏陶瓷; SnO2; 非线性; 肖特基势垒;
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