影响多孔硅孔隙率的因素
来源期刊:功能材料2000年第2期
论文作者:宋世庚 陶明德 贾振红 江从春 涂楚辙
关键词:多孔硅; 孔隙率; 影响;
摘 要:研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律,并对以上各项结果作出了初步解释.
宋世庚1,陶明德1,贾振红2,江从春2,涂楚辙3
(1.中国科学院新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐830011;
2.电子信息科学系,新疆,乌鲁木齐830046;
3.新疆大学物理系)
摘要:研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律,并对以上各项结果作出了初步解释.
关键词:多孔硅; 孔隙率; 影响;
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