正交相BaSi2薄膜的制备及结晶研究
来源期刊：材料导报2014年第10期
论文作者：杨子义 郝正同 徐虎
文章页码：38 - 41
关键词：BaSi2薄膜;晶体结构;表面形貌;透射光谱;电学性质;
摘 要：室温下采用磁控溅射的方法在p-Si（111）衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400850℃退火12h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响。实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜。
杨子义1,2，郝正同2，徐虎2
1. 贵阳学院电子与通信工程学院2. 贵州大学新型光电子材料与技术研究所
摘 要：室温下采用磁控溅射的方法在p-Si（111）衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400850℃退火12h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响。实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜。
关键词：BaSi2薄膜;晶体结构;表面形貌;透射光谱;电学性质;
