用于非制冷热释电红外探测器的PZT铁电薄膜研究
来源期刊：无机材料学报2006年第5期
论文作者：杨培志 普朝光 王忠华 林猷慎 李振豪
关键词：非制冷热释电红外探测器; PZT; 籽晶层; 快速分级退火;
摘 要：采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜.采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理.PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为p=2.3×10-8C·cm-2.K-1,ε=500,tanδ=0.02,Fd=0.94×10-5Pa-0.5.
杨培志1，普朝光1，王忠华1，林猷慎1，李振豪1
(1.昆明物理研究所,昆明,650223)
摘要:采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜.采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理.PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为p=2.3×10-8C·cm-2.K-1,ε=500,tanδ=0.02,Fd=0.94×10-5Pa-0.5.
关键词:非制冷热释电红外探测器; PZT; 籽晶层; 快速分级退火;
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