利用雪崩倍增过程在CH₃NH₃PbI₃中实现电致发光

申赫^1,2，王岩岩^3,4

1. 吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室2. 吉林师范大学物理学院3. 吉林师范大学环境友好材料制备与应用教育部重点实验室4. 吉林师范大学化学学院

摘 要：本文采取了一种生长高质量CH₃NH₃PbI₃层的方法,设计并构建了Au/SiO₂/CH₃NH₃PbI₃/ZnO/In结构的器件。在正向电压下,载流子在SiO₂中碰撞离化并发生倍增,倍增产生的空穴注入到CH₃NH₃PbI₃层中与从ZnO层中注入的电子发生辐射复合,观察到明显的发光光谱,证实了这种通过载流子倍增方式实现发光的可行性,提供了一种无需有机载流子注入层即可实现发光的有效方式。

关键词：CH₃NH₃PbI₃;雪崩倍增;电致发光;