Sol-gel法制备Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃铁电薄膜

郭冬云^1,2，毛薇²，秦岩²，黄志雄^1,2，王传彬¹，沈强¹，张联盟¹

1. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室2. 武汉理工大学材料科学与工程学院

摘 要：利用Sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Pb（Zr0.53Ti0.47）O3（PZT）薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构;升高退火温度（500⁸50℃）、延长保温时间（30¹50min）、增加薄膜厚度（120⁶30nm）都有利于PZT晶粒的长大。在650⁷50℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能,保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大,PZT薄膜的厚度为200³00nm时可以得到比较好的铁电性能。在退火温度750℃、保温时间30min条件下退火处理厚310nm的PZT薄膜,其剩余极化值（2Pr）和矫顽电场（2Ec）分别是72μC/cm2、158kV/cm。

关键词：Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜;Sol-gel工艺;退火温度;保温时间;薄膜厚度;铁电性能;