高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO2缓冲层
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第1期
论文作者：孙瑞萍 李果 武伟 蒲明华 张红 张欣 程翠华 雷鸣 杨烨 赵勇 王文涛
关键词：CeO2缓冲层; 高分子辅助; 化学溶液沉积;
摘 要：分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.
孙瑞萍1，李果1，武伟1，蒲明华1，张红1，张欣1，程翠华1，雷鸣1，杨烨1，赵勇1，王文涛1
(1.西南交通大学,磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,四川,成都,610031)
摘要:分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.
关键词:CeO2缓冲层; 高分子辅助; 化学溶液沉积;
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