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通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜

来源期刊:材料科学与工程学报2009年第6期

论文作者:孙杰 高斐 权乃承 晏春愉 张佳雯 郝培风 刘立慧

文章页码:949 - 1874

关键词:Cu2O薄膜;热蒸镀;Cu膜;退火;

摘    要:通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。

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通过氧化Cu膜制备Cu2O薄膜

孙杰,高斐,权乃承,晏春愉,张佳雯,郝培风,刘立慧

陕西师范大学物理学与信息技术学院

摘 要:通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。

关键词:Cu2O薄膜;热蒸镀;Cu膜;退火;

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