简介概要

直拉硅单晶中氢行为的研究进展

来源期刊：材料导报2007年第9期

论文作者：马向阳杨德仁李金刚阙端麟

关键词：氢; 氧扩散; 热施主; 氧沉淀; 空洞型缺陷;

摘要：总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.

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马向阳¹，杨德仁¹，李金刚¹，阙端麟¹

(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)

摘要:总结了氢对直拉硅(CZ)单晶中缺陷影响的研究进展,主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成,以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺陷消除的机理,其中氢促进硅中氧的扩散被认为是氢对直拉硅中的缺陷产生影响的主要原因.

关键词:氢; 氧扩散; 热施主; 氧沉淀; 空洞型缺陷;

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