锗掺杂二氧化钛薄膜的溶胶凝胶法制备和性能研究

韩高荣¹，赵高凌¹，周婧¹

(1.浙江大学,材料系,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州310027)

摘要:二氧化钛是一种无毒、廉价、稳定的半导体材料,被广泛用作光电化学太阳能电池的电极材料,适当掺杂可以增强其光电性能.以钛酸丁酯和四正丁氧基锗烷为主要原料,采用溶胶-凝胶提拉涂膜法制备了Ge掺杂的TiO_2薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见吸收光谱、电流-电压曲线等测试手段研究了薄膜的结晶性能、微观结构和光电性能随Ge掺杂量的变化规律.结果表明,Ge掺杂量x=0.10时,形成Ti_(1-x)Ge_xO_2固溶体,x=0.15时,形成非晶态.掺锗后薄膜表面颗粒密度增大,薄膜比较致密.随着Ge掺杂量的增加,吸收光谱吸收边蓝移,光电化学性能也得到一定提高.在Ge掺杂量为0.05时,光电流达到最大值17A/m~2.同时,研究了锗掺杂对光电流的影响.

关键词:锗掺杂; TiO_2薄膜; 光电化学性能; 溶胶凝胶法; Ge doping; TiO_2 films; photoelectrochemical properties; sol-gel method;

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