Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算
来源期刊：功能材料2005年第8期
论文作者：张志勇 张富春 王雪文 邓周虎 阎军锋
关键词：ZnO; 密度泛函; 电子结构; 掺杂; 光吸收边; Burstein-Moss移动;
摘 要：根据密度泛函理论(DFT),采用"总体能量-平面波"超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.
张志勇1，张富春1，王雪文1，邓周虎1，阎军锋1
(1.西北大学,电子科学系,陕西,西安,710069;
2.延安大学,物理与电子信息学院,陕西,延安,716000)
摘要:根据密度泛函理论(DFT),采用"总体能量-平面波"超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.
关键词:ZnO; 密度泛函; 电子结构; 掺杂; 光吸收边; Burstein-Moss移动;
【全文内容正在添加中】
