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氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响

来源期刊：材料科学与工程学报2003年第3期

论文作者：马向阳杨德仁阙端麟余学功王晓泉

关键词：氢; 退火; 热施主; 氮氧复合体; 直拉单晶硅;

摘要：本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少,不会对硅片的电阻率产生明显的影响.

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马向阳¹，杨德仁¹，阙端麟¹，余学功¹，王晓泉¹

(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027)

摘要:本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复合体的生成与在氩气下差不多.这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少,不会对硅片的电阻率产生明显的影响.

关键词:氢; 退火; 热施主; 氮氧复合体; 直拉单晶硅;

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