氧化还原法制备钨晶须及其生长机理研究

来源期刊：材料科学与工艺2012年第3期

论文作者：马运柱 石玉斌 刘文胜 李静

文章页码：117 - 246

关键词：钨晶须;氧化还原;化学气相迁移;VS机理;

摘    要：研究了钨晶须的制备工艺,并分析了其生长机理.采用X射线衍射、扫描电镜、能谱分析、透射电镜对制备的钨晶须进行物相、形貌、成分、微观结构的分析和表征.研究表明:钨晶须长度大致在1～10μm,直径在1μm以下,部分达到纳米级;晶须为单晶bcc结构,生长方向为<110>;钨晶须形成过程为钨粉及其氧化产物与水汽反应生成气相水合物WO2(OH)2,遇氢气还原后形核并沉积,进而定向生长为晶须结构,钨晶须的生成遵循VS机理.