激光溅射沉积后硒化制备CIGS薄膜
来源期刊：功能材料与器件学报2011年第5期
论文作者：李丽丽 丁铁柱 何杰 韩磊
文章页码：500 - 504
关键词：PLD;CuIn1-xGaxSe2;热处理温度;
摘 要：采用脉冲激光溅射沉积法（PLD）制备了Cu-In-Ga双层预制膜,通过固态源硒化后热处理的方法获得了CuIn1-xGaxSe2（CIGS）薄膜,研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS薄膜特性的影响。采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究了薄膜的厚度、表面形貌、成分、物相结构以及光学带隙。得到了制备具有较好光学性能CIGS薄膜的优化条件为:Cu、In、Ga的原子含量比为nCu/（nIn+nGa）=0.98,nGa/（nIn+nGa）=0.28,硒化温度250℃,硒化时间60min,热处理温度为550℃,在此优化条件下得到的薄膜光学带隙为1.43eV,XRD表明CIGS薄膜是单一黄铜矿薄膜。
李丽丽，丁铁柱，何杰，韩磊
内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室内蒙古大学物理科学与技术学院
摘 要：采用脉冲激光溅射沉积法（PLD）制备了Cu-In-Ga双层预制膜,通过固态源硒化后热处理的方法获得了CuIn1-xGaxSe2（CIGS）薄膜,研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS薄膜特性的影响。采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究了薄膜的厚度、表面形貌、成分、物相结构以及光学带隙。得到了制备具有较好光学性能CIGS薄膜的优化条件为:Cu、In、Ga的原子含量比为nCu/（nIn+nGa）=0.98,nGa/（nIn+nGa）=0.28,硒化温度250℃,硒化时间60min,热处理温度为550℃,在此优化条件下得到的薄膜光学带隙为1.43eV,XRD表明CIGS薄膜是单一黄铜矿薄膜。
关键词：PLD;CuIn1-xGaxSe2;热处理温度;
