电化学合成聚硅烷的反应速率

张峰君¹，孙晋良²，潘健峰²，周春节²，陈来²，任慕苏²，吴市²，张家宝²，钱林²

(1.安徽建筑工业学院材化学院基础化学教研室,安徽,合肥,230022;
2.上海大学材料科学与工程学院,上海,201800)

摘要:采用电化学法,合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷,通过FT-IR,UV,1H NMR表征其结构.分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si-Cl键含量的变化,以及加入引发剂蒽对反应速率的影响.结果表明:含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷,相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si-Cl键含量比不含双键聚硅烷少10%～15%;在电化学合成聚硅烷的过程中,单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例;引发剂蒽的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率.本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测.

关键词:聚硅烷; 电化学合成; 反应速率;

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