温度对n-ZnO/p-diamond薄膜异质结器件制备和电学性质的影响
来源期刊：超硬材料工程2017年第1期
论文作者：吴成泽 王丽莹 王启亮 成绍恒 汪剑波 李红东
文章页码：1 - 6
关键词：氧化锌薄膜;硼掺杂金刚石;异质结;电学性质;高温处理;
摘 要：采用反应磁控溅射法在p型硼掺杂金刚石（BDD）薄膜衬底上制备了非有意掺杂n型氧化锌（ZnO）薄膜。利用XRD、SEM、I-V特性曲线对n-ZnO/p-BDD薄膜复合结构进行表征分析。n-ZnO多晶膜沉积在p-BDD膜上形成了具有良好整流特性的异质结。在空气中对异质结进行退火处理,研究了退火（400℃,700℃）对异质结性质的影响。实验表明,较高退火温度处理,可获得多取向的ZnO膜,晶粒尺寸增大,n-ZnO/p-BDD异质结开启电压减小。不同温度下的电学性质测量结果证明该异质结适合在高温环境下工作。
吴成泽1,2，王丽莹2，王启亮2，成绍恒2，汪剑波1，李红东2
1. 长春理工大学理学院2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室
摘 要：采用反应磁控溅射法在p型硼掺杂金刚石（BDD）薄膜衬底上制备了非有意掺杂n型氧化锌（ZnO）薄膜。利用XRD、SEM、I-V特性曲线对n-ZnO/p-BDD薄膜复合结构进行表征分析。n-ZnO多晶膜沉积在p-BDD膜上形成了具有良好整流特性的异质结。在空气中对异质结进行退火处理,研究了退火（400℃,700℃）对异质结性质的影响。实验表明,较高退火温度处理,可获得多取向的ZnO膜,晶粒尺寸增大,n-ZnO/p-BDD异质结开启电压减小。不同温度下的电学性质测量结果证明该异质结适合在高温环境下工作。
关键词：氧化锌薄膜;硼掺杂金刚石;异质结;电学性质;高温处理;
