后接枝法合成氨丙基修饰的周期性介孔氧化硅材料
来源期刊：无机材料学报2008年第2期
论文作者：王飞 李群艳 韦奇 邹景霞 钟振兴 聂祚仁
关键词：PMOs; 表面修饰; 氨丙基基团; 介孔结构;
摘 要：以三氯甲烷为溶剂,氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)为修饰剂通过后接枝法对周期性介孔氧化硅材料(PMOS)进行修饰.通过固态NMR,氮气吸附、元素分析和UV-vis吸光度测试等手段来表征材料.结果表明,氨丙基基团通过共价连接的方式成功修饰到PMOs材料.尽管随着APTMS修饰量的增加,比表面积、孔容和孔径都呈下降趋势,但经25%APTMS修饰的PMOs材料依然具有良好的介孔结构,其表面积为604m2·g-1,孔容为0.62cm3·g-1,孔径狭窄分布在4.5～5.0nm之间.修饰后的PMOs对氯金酸有明显的吸附作用.
王飞1，李群艳1，韦奇1，邹景霞1，钟振兴1，聂祚仁1
(1.北京工业大学,材料科学与工程学院,北京100022)
摘要:以三氯甲烷为溶剂,氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)为修饰剂通过后接枝法对周期性介孔氧化硅材料(PMOS)进行修饰.通过固态NMR,氮气吸附、元素分析和UV-vis吸光度测试等手段来表征材料.结果表明,氨丙基基团通过共价连接的方式成功修饰到PMOs材料.尽管随着APTMS修饰量的增加,比表面积、孔容和孔径都呈下降趋势,但经25%APTMS修饰的PMOs材料依然具有良好的介孔结构,其表面积为604m2·g-1,孔容为0.62cm3·g-1,孔径狭窄分布在4.5～5.0nm之间.修饰后的PMOs对氯金酸有明显的吸附作用.
关键词:PMOs; 表面修饰; 氨丙基基团; 介孔结构;
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