SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展

来源期刊：功能材料与器件学报2012年第5期

论文作者：徐光明 郭宇锋 花婷婷 徐跃 吉新春

文章页码：403 - 411

关键词：LDMOS;超薄SOI;界面电荷;低k介质;纵向耐压;

摘    要：SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理;而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点;最后对未来技术的发展进行了展望。