AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的研究与进展
来源期刊：功能材料2011年第S5期
论文作者：谢生 冯志红 刘波 毛陆虹 张世林
文章页码：784 - 787
关键词：高电子迁移率晶体管;铝铟氮;氮化镓;
摘 要：由于GaN基材料的高温性能好,AlInN/GaN异质界面具有更高的二维电子气密度,因而AlInN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有更高的工作频率和饱和漏电流,以及更强的抗辐射能力,近年来成为微波功率器件和放大电路的研究热点。首先总结了AlInN材料的基本性质,分析了AlInN/GaNHEMT的材料生长和器件结构设计,最后总结了其在高频、大功率方面的最新进展。
谢生1，冯志红2，刘波2，毛陆虹1，张世林1
1. 天津大学电子信息工程学院2. 河北半导体研究所专用集成电路重点实验室
摘 要：由于GaN基材料的高温性能好,AlInN/GaN异质界面具有更高的二维电子气密度,因而AlInN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有更高的工作频率和饱和漏电流,以及更强的抗辐射能力,近年来成为微波功率器件和放大电路的研究热点。首先总结了AlInN材料的基本性质,分析了AlInN/GaNHEMT的材料生长和器件结构设计,最后总结了其在高频、大功率方面的最新进展。
关键词：高电子迁移率晶体管;铝铟氮;氮化镓;
