正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择

来源期刊：分析试验室2003年第6期

论文作者：白燕 李蕊 程涛 郑文杰 孟建新

文章页码：9 - 12

关键词：正交设计;均匀设计;硒金膜修饰电极;硒代胱氨酸;Matlab程序;

摘    要：硒代胱氨酸在硒 金（Se Au）膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II（-500mV左右）和峰III（-327mV左右）,以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1mol LKCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol L。均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理。依此制备的Se Au膜修饰电极性能稳定,用于硒代胱氨酸伏安特性研究有良好的重现性。