SiO2-C-Na3AlF6合成SiC晶须的研究
来源期刊：稀有金属与硬质合金2010年第1期
论文作者：崔曦文 蒋明学 张颖
文章页码：30 - 33
关键词：SiC晶须;SiO2-C-Na3AlF6;合成机理;过饱和度;
摘 要：以SiO2微粉、石墨、Na3AlF6为原料合成SiC晶须。采用XRD、SEM对产物进行分析,结果表明,在1 500℃及Si/Al摩尔比为4∶1的条件下生成的晶须质量最佳。对晶须的合成机理进行讨论,认为晶须生长过程为VS机理;Na3AlF6不参与实际的晶须合成反应。计算出气相反应物的过饱和度约为0.005,有利于晶须的生长。
崔曦文，蒋明学，张颖
西安建筑科技大学材料科学与工程学院
摘 要：以SiO2微粉、石墨、Na3AlF6为原料合成SiC晶须。采用XRD、SEM对产物进行分析,结果表明,在1 500℃及Si/Al摩尔比为4∶1的条件下生成的晶须质量最佳。对晶须的合成机理进行讨论,认为晶须生长过程为VS机理;Na3AlF6不参与实际的晶须合成反应。计算出气相反应物的过饱和度约为0.005,有利于晶须的生长。
关键词：SiC晶须;SiO2-C-Na3AlF6;合成机理;过饱和度;
