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GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期

论文作者：徐晓春曾庆明刘伟吉赵永林王全树敖金平郭建魁揭俊锋李献杰

关键词：GaAs; HBT; 微波单片集成电路;

摘要：叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.

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徐晓春¹，曾庆明¹，刘伟吉¹，赵永林¹，王全树¹，敖金平¹，郭建魁¹，揭俊锋¹，李献杰¹

(1.信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051)

摘要:叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.

关键词:GaAs; HBT; 微波单片集成电路;

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