AlSiC电子封装材料及构件研究进展
来源期刊：材料导报2006年第3期
论文作者：程辉 熊德赣 刘希从 堵永国 杨盛良 鲍小恒 赵恂
关键词：AlSiC电子封装材料; 预制件; 液相浸渗; 机械加工; 表面处理; 构件连接;
摘 要：AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.
程辉1，熊德赣1，刘希从1，堵永国1，杨盛良1，鲍小恒1，赵恂1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院,长沙,410073)
摘要:AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.
关键词:AlSiC电子封装材料; 预制件; 液相浸渗; 机械加工; 表面处理; 构件连接;
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